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      比亞迪半導體 6 款“高精尖”功率器件產品亮相

      業界
      TIME
      2021-09-29 13:45
      IT之家
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      IT之家 9 月 29 日消息 從比亞迪獲悉,9 月 25 日-28 日,2021 世界智能網聯汽車大會在北京舉辦。大會同期舉辦新能源汽車產業發展成果展,比亞迪半導體攜 6 款“高精尖”功率器件產品亮相。

      展會期間,比亞迪半導體集中展示了 6 款功率器件產品:V-215、V-305(SiC 模塊)、V-SSDC(SiC 模塊)、V-DUAL1、IGBT 晶圓、FRD 晶圓。

      ▲ 比亞迪半導體展品 | 圖源:比亞迪

      IT之家了解到,比亞迪本次重點展示了兩款碳化硅功率模塊:V-305 (SiC 模塊)、V-SSDC (SiC 模塊)。比亞迪表示,其中,305 封裝 1200V 840A 規格三相全橋碳化硅功率模塊,在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中已實現規?;瘧?,助力漢車型百公里加速達到 3.9s。

      該 SiC 模塊采用納米銀燒結工藝,AMB 活性金屬釬焊,使用銅夾互連工藝,提升了芯片過電流能力,模塊輸出功率可達 200KW。

      據介紹,在 SiC 器件領域,比亞迪半導體已實現 SiC 模塊在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規?;瘧?,其自主研發制造的高性能碳化硅功率模塊,是全球首家、國內唯一實現在電機驅動控制器中大批量裝車的 SiC 三相全橋模塊。

      本次成果展也重點展示了 V-DUAL1 IGBT 模塊,其采用自主研發的 IGBT4.0(復合場終止)技術。

      2018 年 12 月,比亞迪半導體正式發布全新車規級“IGBT 4.0”技術。比亞迪數據顯示,搭載比亞迪 IGBT4.0 后,整車百公里電耗能夠降低 0.6kWh。

      目前,比亞迪半導體基于高密度 TrenchFS 的 IGBT5.0 技術已實現量產,同時正在布局新一代 IGBT 技術。

      FRD 芯片則在 IGBT 模塊中與 IGBT 芯片并聯使用,起反向恢復作用。

      THE END
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